MMBT2907ALT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MMBT2907ALT1G	103	15.12
MMBT2907ALT1G (ONS)	91 500	1.70
MMBT2907ALT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	5 858	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMBT2907ALT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBT2907ALT1 (Универсальные биполярные транзисторы)

General Purpose Transisters PNP Silicon

Также в этом файле: MMBT2907ALT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MMBT2907ALT1G datasheet
121.53Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-100 5%	ЧИП — резистор 1206-100кОм, 5%		55	0.96 >500 шт. 0.32
1N4933 (1A 50V)
AMS1117-3.3 SOT-223	ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА
AMS1117-3.3 SOT-223	ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА	YOUTAI	756	2.47
L7809ABV		ST MICROELECTRONICS
L7809ABV				70.60
L7809ABV		STMicroelectronics
L7809ABV		КИТАЙ
L7809ABV		ST MICROELECTRONICS SEMI
L7809ABV		4-7 НЕДЕЛЬ	107
LQH32CN470K23L	Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%	CHINA
LQH32CN470K23L	Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%	MURATA	626	13.43
LQH32CN470K23L	Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%		16	57.88
LQH32CN470K23L	Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%	Murata Electronics North America
LQH32CN470K23L	Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%	MUR	13 091	5.06