| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5406 (3A 600V) |
|
Диод 600V, 3A
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM319R71H103KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В
|
MUR
|
10 740
|
2.24
|
|
|
|
|
GRM319R71H103KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM319R71H103KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
GRM319R71H103KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM319R71H103KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
MOTOROLA
|
6
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
|
4
|
114.66
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
|
1
|
315.00
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
84
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
1
|
|
|
|
|
|
NE5532AP |
|
Операционный усилитель малошумящий
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
401
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 126
|
33.30
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
26.55
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 451
|
38.16
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
407
|
25.44
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1801
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
290
|
|
|
|