L6561D
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Mode | Discontinuous (Transition) |
| Current - Startup | 50µA |
| Напряжение питания | 11 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -25°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V) | FAIR |
|
|
|
|
|
|
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V) | EIC |
|
|
|
|
|
|
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V) |
|
101.28 | ||
|
|
|
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V) | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJITSU |
|
|
||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W |
|
168.00 | |||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJ |
|
|
||
|
|
2SK3502 |
|
N-MOS 600V, 10A, 70W | FUJI |
|
|
||
| MBR10200CT | GALAXY |
|
|
|||||
| MBR10200CT | 7 600 | 16.08 | ||||||
| MBR10200CT | GALAXY ME | 80 | 20.47 | |||||
| NCP1200D60R2G SMD | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1200D60R2G SMD | ONS |
|
|
|||||
|
|
SH050M0047BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В | YAGEO |
|
|
||
|
|
SH050M0047BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
SH050M0047BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
SH050M0047BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В |
|
|
