Версия для печати
Технические характеристики IRFP460

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MegaMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	210nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4200pF @ 25V
Power - Max	260W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247AD

IRFP460 Полевой транзистор Производитель: Завод andquot;Эльтавandquot; IRFP460 datasheet 99.45Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HER508 (5A 1000V)		Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	143.64
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	378.00
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	735
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		315	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	1 861	29.65
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS	80	37.80
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	MOTOROLA	80	37.80
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz		10	42.55
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS	1 638	33.11
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ON Semiconductor
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTR
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	МАЛАЙЗИЯ
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ONS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMEN
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	1
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	JSMSEMI	29	38.85
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	714
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS INSTRUMENTS
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В			305.96
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C	24
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	МАЛАЙЗИЯ
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	TEXAS INSTRUMEN
		UC3825N		Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В	4-7 НЕДЕЛЬ	601

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"