IRF7831
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 21A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6240pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7831 (Дискретные сигналы) Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAW62 | FAIR |
|
|
||||
|
|
BAW62 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BAW62 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BAW62 | NXP |
|
|
||||
|
|
BAW62 |
|
|
|||||
|
|
BAW62 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BAW62 | PHILIPS | 36 |
|
||||
|
|
BAW62 | Fairchild Semiconductor |
|
|
||||
|
|
BAW62 | FAIRCHILD |
|
|
||||
|
|
BAW62 | NXP | 2 367 |
|
||||
 |
|
BSS119 |
|
Транзистор полевой SMD, MOSFET, N-CH , 100V, 170мA |
|
6.32 | ||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | NXP |
|
|
||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | VISHAY |
|
|
||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод |
|
56.20 | |||
|
|
BYV27-200 |
|
Диод | КИТАЙ |
|
|
||
| IRLL024ZTR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRLL024ZTR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRLL024ZTR | INFINEON |
|
|
|||||
|
|
NDC7003P | FAIR |
|
|
||||
|
|
NDC7003P |
|
88.00 | |||||
|
|
NDC7003P | FAIRCHILD |
|
|
||||
|
|
NDC7003P | FAIRCHILD | 9 |
|
||||
|
|
NDC7003P | Fairchild Semiconductor |
|
|
||||
|
|
NDC7003P | ONS |
|
|
