|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 21A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6240pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7831 (Дискретные сигналы) Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
15MQ040NPBF |
|
Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
15MQ040NPBF |
|
Диод выпрямительныйный Шоттки 40В, 2.1A, корпус SMA (DO-214C) | Vishay/Semiconductors |
|
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 70 |
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | 40 |
|
||
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1 |
|
Power mosfet 500 ma, 60 v n-channel sot-23 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1 |
|
Power mosfet 500 ma, 60 v n-channel sot-23 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
NDC7003P | FAIR |
|
|
||||
|
|
NDC7003P |
|
88.00 | |||||
|
|
NDC7003P | FAIRCHILD |
|
|
||||
|
|
NDC7003P | FAIRCHILD | 9 |
|
||||
|
|
NDC7003P | Fairchild Semiconductor |
|
|
||||
|
|
NDC7003P | ONS |
|
|
||||
|
|
|
Si4126DY |
|
N-channel 30-v (d-s) mosfet | VISHAY |
|
|