|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
1 677
|
56.70
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
1 522
|
63.00
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
203
|
76.80
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
4 400
|
20.11
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
24.57
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
|
240
|
2.28
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
28
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
HOTTECH
|
496 087
|
4.13
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
YOUTAI
|
67 447
|
3.01
|
|
|
|
L6561D |
|
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
ST MICROELECTRONICS
|
8
|
173.88
|
|
|
|
L6561D |
|
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
|
|
159.60
|
|
|
|
L6561D |
|
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6561D |
|
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L6561D |
|
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
ST1
|
|
|
|
|
|
L6561D |
|
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L6561D |
|
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L6561D |
|
Микросхема POWER FACTOR CORRECTOR
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
550
|
|
|
|
|
L6569 |
|
ИМС драйвера
|
ST MICROELECTRONICS
|
40
|
105.84
|
|
|
|
L6569 |
|
ИМС драйвера
|
|
1
|
196.56
|
|
|
|
L6569 |
|
ИМС драйвера
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 088
|
|
|
|
|
L6569 |
|
ИМС драйвера
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6569 |
|
ИМС драйвера
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
L6569 |
|
ИМС драйвера
|
1
|
|
|
|
|
|
L6569 |
|
ИМС драйвера
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
422
|
|
|