| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ICE2B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/0.5A, Fosc=67kHz, Pout=13W
|
INFINEON
|
26
|
219.24
|
|
|
|
ICE2B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/0.5A, Fosc=67kHz, Pout=13W
|
|
8
|
166.32
|
|
|
|
ICE2B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/0.5A, Fosc=67kHz, Pout=13W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ICE2B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/0.5A, Fosc=67kHz, Pout=13W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
ICE2B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/0.5A, Fosc=67kHz, Pout=13W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ICE2B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/0.5A, Fosc=67kHz, Pout=13W
|
1
|
|
|
|
|
|
ICE2B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/0.5A, Fosc=67kHz, Pout=13W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
789
|
|
|
|
|
LQH32MN2R2K23L |
|
Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц
|
MUR
|
9 456
|
5.53
|
|
|
|
LQH32MN2R2K23L |
|
Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц
|
|
|
|
|
|
|
LQH32MN2R2K23L |
|
Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
LQH32MN2R2K23L |
|
Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц
|
MURATA
|
3
|
6.20
|
|
|
|
|
T491D106K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 25 В
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
|
T491D106K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
|
T491D106K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 25 В
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
|
T491D106K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 25 В
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
T491D106K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 25 В
|
KEM
|
|
|
|
|
|
|
T491D106K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 25 В
|
KEMET/YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
ЗАЖ.DG141V-04P (2.54MM) |
|
|
DEN
|
|
|
|
|
|
|
ЗАЖ.DG141V-04P (2.54MM) |
|
|
DEGSON ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
ЗАЖ.DG141V-04P (2.54MM) |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
МГТФ-0.03 |
|
Провод монтажный
|
|
5
|
14.52
|
|
|
|
МГТФ-0.03 |
|
Провод монтажный
|
43G1
|
|
|
|