|
Структура NP-канал |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A, 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SANYO | 4 | 143.64 | |
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | 1 | 127.26 | ||
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISCSEMI |
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт | ISC | 1 142 | 24.32 | |
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W) | FUJITSU |
|
|
|
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W) | FUJI ELECTRIC | 8 | 219.24 | |
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W) | 3 | 272.16 | ||
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W) | FUJI |
|
|
|
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W) | FUJ |
|
|
|
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W) | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|
| AF4502CSA |
|
800.00 | ||||||
| AF4502CSA | ANACHIP |
|
|
|||||
| AF4502CSA | 4-7 НЕДЕЛЬ | 568 |
|
|||||
|
|
S2055N | TOSHIBA |
|
|
||||
|
|
S2055N |
|
216.40 | |||||
|
|
S2055N | TOS |
|
|
||||
| SS8050C | FAIR |
|
|
|||||
| SS8050C |
|
8.40 | ||||||
| SS8050C | МИНСК |
|
|