SI2302DS

Версия для печати

Технические характеристики SI2302DS

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	650mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	230pF @ 10V
Power - Max	830mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si2302DS

N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

SI2302DS datasheet
84.49Kb
5стр.