SI2302DS
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 650mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si2302DS N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BTA16-600C |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус | ST MICROELECTRONICS | 80 | 86.67 | |
|
|
|
BTA16-600C |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус | 340 | 26.11 | ||
|
|
|
BTA16-600C |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус | 340 | 26.11 | ||
 |
|
KNP100JR-73-0R51 |
|
Yageo |
|
|
||
| LQH32MN470K23L | MUR | 21 267 | 8.06 | |||||
| LQH32MN470K23L |
|
|
||||||
| LQH32MN470K23L | MURATA | 1 | 8.27 | |||||
 |
SI2302CDS-T1-E3 |
|
Vishay/Siliconix |
|
|
|||
|
|
SI2302CDS-T1-E3 |
|
SILICONIX | 42 |
|
|||
|
|
SI2302CDS-T1-E3 |
|
VISHAY | 1 908 | 36.47 | |||
|
|
SI2302CDS-T1-E3 |
|
|
|
||||
| Д-603 СВЧ ДИОД |
|
|
