SI2302DS
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 650mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si2302DS N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDN5618P | FAIR |
|
|
|||||
| FDN5618P | FSC |
|
|
|||||
| FDN5618P | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDN5618P | FAIRCHILD | 24 |
|
|||||
| FDN5618P | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FDN5618P | 7 040 | 8.42 | ||||||
| FDN5618P | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| FDN5618P | ONS | 9 335 | 22.14 | |||||
| FDN5618P | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| FDN5618P | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MTS-1 |
|
|
||||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ONS |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G |
|
|
||||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| R-17N1-B1K,L-15KC | SONG HUEI ELEC |
|
|
|||||
 |
Д405А | 8 | 92.50 | |||||
|
|
Д405А | ТОМИЛИНО | 1 | 315.00 | ||||
|
|
Д405А | ИНТЕГРАЛ | 151 | 192.00 | ||||
|
|
Д405А | ЭЛТОМ |
|
|
||||
|
|
Д405А | МИНСК |
|
|
