SI2302DS
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 650mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si2302DS N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7401TRPBF |
|
N-канальный 20В 8.7А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRF7401TRPBF |
|
N-канальный 20В 8.7А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRF7401TRPBF |
|
N-канальный 20В 8.7А | INFINEON | 4 953 | 65.99 | ||
|
|
IRF7401TRPBF |
|
N-канальный 20В 8.7А | 4 |
|
|||
|
|
IRF7401TRPBF |
|
N-канальный 20В 8.7А | KLS |
|
|
||
|
|
IRF7401TRPBF |
|
N-канальный 20В 8.7А | КИТАЙ | 176 | 80.59 | ||
| IRF7493TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7493TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | 463 |
|
|||||
| IRF7493TRPBF | INFINEON | 2 819 | 86.25 | |||||
| MCP73831T-2ATI/OT |
|
86.40 | ||||||
| MCP73831T-2ATI/OT | MICRO CHIP | 1 420 | 79.86 | |||||
| MCP73831T-2ATI/OT | MICRO CHIP | 32 |
|
|||||
| MCP73831T-2ATI/OT | Microchip Technology |
|
|
|||||
| MCP73831T-2ATI/OT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 563 |
|
|||||
 |
MTS-102 ON-ON | 4 252 | 25.49 | |||||
|
|
MTS-102 ON-ON | 4 252 | 25.49 | |||||
|
|
MTS-102 ON-ON | RUICHI |
|
|
||||
 |
MTS-102-C3 ON-ON |
|
|
