| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
АОУ103В1 |
|
Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора
|
|
31
|
314.50
|
|
|
|
|
АОУ103В1 |
|
Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора
|
СТАРТ
|
2 553
|
157.50
|
|
|
|
|
АОУ103В1 |
|
Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
АОУ103В1 |
|
Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора
|
НПП УРЛЗ
|
|
|
|
|
|
|
АОУ115А |
|
Оптрон тиристорный для гальванической развязки силовой цепи 30мА, 2В, 10мкс
|
|
2 148
|
41.58
|
|
|
|
|
АОУ115А |
|
Оптрон тиристорный для гальванической развязки силовой цепи 30мА, 2В, 10мкс
|
СТАРТ
|
758
|
8.40
|
|
|
|
|
АОУ115А |
|
Оптрон тиристорный для гальванической развязки силовой цепи 30мА, 2В, 10мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
АОУ115А |
|
Оптрон тиристорный для гальванической развязки силовой цепи 30мА, 2В, 10мкс
|
УРЛЗ
|
69
|
24.80
|
|
|
|
|
КТ 361 Г |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ 315 Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ 315 Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
ЧИП ТАНТАЛ 4.7МКФ 25В20%ТИПC |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
Версия для печати
