| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
NXP
|
13 592
|
10.74
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
|
96
|
20.46
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
UTC
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
1
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
NXP/NEXPERIA
|
1 253
|
14.78
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
|
719
|
41.44
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
397
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
12778
|
|
|
|
|
|
74HC14D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер Шмидта инвертирующий х 6
|
5439
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
6 360
|
1.79
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
1
|
4.72
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 052
|
1.43
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
37 343
|
2.35
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
337
|
1.69
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
16 491
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
129 858
|
7.23
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
50 418
|
1.05
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.11
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
62
|
3.10
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
36 284
|
1.32
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
2
|
2.03
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
54 424
|
1.80
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
28 452
|
1.54
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 016
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 832
|
1.43
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ASEMI
|
49 926
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOS
|
36
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1996
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2300
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2975
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2520
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
27000
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
RUME
|
72 000
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TRR
|
141 200
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
|
66 000
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DC COMPONENTS
|
489
|
2.99
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
NXP
|
402
|
1.43
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DIOTEC
|
16 412
|
3.64
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
NXP
|
6 511
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
HOTTECH
|
138 814
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YJ
|
16 801
|
2.15
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
OLITECH
|
217
|
2.74
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ZH
|
31 200
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
ASEMI
|
81 432
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
SUNTAN
|
88
|
1.03
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
KEEN SIDE
|
13 223
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
RUME
|
117 600
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
823
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
47800
|
|
|
|
|
|
BC817-25 |
|
Транзистор биполярный NPN 45V, 0.5A, 100MHz, B=160-400
|
47640
|
|
|
|
|
|
|
BC857B.215 |
|
Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон SO
|
|
|
2.28
|
|
|
|
|
BC857B.215 |
|
Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон SO
|
NXP
|
35 760
|
1.79
|
|
|
|
|
BC857B.215 |
|
Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон SO
|
NEX-NXP
|
2
|
1.25
|
|
|
|
|
BC857B.215 |
|
Транзистор p-n-p 45В 0.1A 0.2Вт рулон SO
|
27000
|
|
|
|
|
|
MAX809SEUR+T |
|
Интегральный супервизор инициализации микропроцессора 2,93V, -40/+105°C
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX809SEUR+T |
|
Интегральный супервизор инициализации микропроцессора 2,93V, -40/+105°C
|
MAX
|
1
|
52.52
|
|
|
|
MAX809SEUR+T |
|
Интегральный супервизор инициализации микропроцессора 2,93V, -40/+105°C
|
MAXIM
|
218
|
|
|
|
|
MAX809SEUR+T |
|
Интегральный супервизор инициализации микропроцессора 2,93V, -40/+105°C
|
|
|
|
|
|
|
MAX809SEUR+T |
|
Интегральный супервизор инициализации микропроцессора 2,93V, -40/+105°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
607
|
|
|