BZX84C18LT1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 12.6V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 225mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 45 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change 08/Jun/2009 |
| Tolerance | ±5% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | DC COMPONENTS | 85 551 | 2.03 | |
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | NXP |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | PHILIPS | 7 248 |
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA |
|
|
||
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | KINGTRONIC |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA | KINGTRONICS | 6 416 | 1.06 | |
 |
|
BZX384-C5V1,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZX384-C5V1,115 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BZX384-C5V1,115 |
|
NEX | 53 488 | 3.92 | ||
|
|
|
BZX384-C5V1,115 |
|
|
|
|||
|
|
|
BZX384-C5V1,115 |
|
NEXPERIA | 34 560 |
|
||
| RGE1100 | RAYCHEM |
|
|
|||||
| RGE1100 |
|
|
||||||
| RGE1100 | RAYCHEM |
|
|
|||||
| RGE1100 | TE Connectivity |
|
|
|||||
| RGE1100 |
|
|
||||||
| RHRP1560 | FAIR |
|
|
|||||
| RHRP1560 |
|
600.00 | ||||||
| RHRP1560 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| RHRP1560 | FAIRCHILD | 92 |
|
|||||
| RHRP1560 | FSC |
|
|
|||||
| RHRP1560 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| RHRP1560 | ONS | 5 | 150.65 | |||||
| RHRP1560 | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| RHRP1560 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| МГТФ-0,35 | 576 | 74.00 |
