|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
742
|
259.07
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
504
|
381.49
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
890
|
367.79
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
|
16
|
98.28
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
5
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
SILICONIX
|
20
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
SG3525ANG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SG3525ANG |
|
|
|
|
100.00
|
|
|
|
SG3525ANG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SG3525ANG |
|
|
ONS
|
89
|
148.03
|
|
|
|
SG3525ANG |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
SG3525ANG |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
SG3525ANG |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SG3525ANG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
587
|
|
|
|
|
TB1238AN |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TB1238AN |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TB1238AN |
|
|
|
|
708.00
|
|
|
|
TB1238AN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
249
|
|
|
|
|
МЛТ-1-10 ОМ-5% |
|
Резистор постоянный металлопленочный лакированный теплостойкий, металлодиэлектрический ...
|
|
|
|
|