Версия для печати
Технические характеристики RHRP1560

Current - Reverse Leakage @ Vr	100µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io)	15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2.1V @ 15A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	40ns
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-2
Корпус	TO-220AC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		22МКФ50В(6.3X5)
		22МКФ50В(6.3X5)			JAMICON
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	528	32.67
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	MOTOROLA
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	PHILIPS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)		1	25.20
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	MOTOROLA	252
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	568
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	PHILIPS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	МИНСК
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	STMICROELECTR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	1
		FDPF18N50		500v n-channel mosfet	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		FDPF18N50		500v n-channel mosfet	FSC
		FDPF18N50		500v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
		FDPF18N50		500v n-channel mosfet	FAIR
		FDPF18N50		500v n-channel mosfet
		FDPF18N50		500v n-channel mosfet	ONS-FAIR
		FDPF18N50		500v n-channel mosfet	ONS	77	279.36
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop		482	259.07
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	504	363.95
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS	874	363.36
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		MMSZ5248BT1G			ON SEMICONDUCTOR
		MMSZ5248BT1G			ON SEMICONDUCTOR	27
		MMSZ5248BT1G			ONS	3 860	9.15
		MMSZ5248BT1G

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"