| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1000МКФ16В(10X13)105°C |
|
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C18LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
304
|
1.79
|
|
|
|
|
BZX84C18LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
255
|
|
|
|
|
|
BZX84C18LT1G |
|
|
ONS
|
432
|
3.38
|
|
|
|
|
BZX84C18LT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C18LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
|
936.00
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
483
|
362.28
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
2
|
378.47
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
RUME
|
1 200
|
140.96
|
|
|
|
HGTG40N60A4 |
|
Транзистор N канальный IGBT, 600В, 75А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG40N60A4 |
|
Транзистор N канальный IGBT, 600В, 75А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG40N60A4 |
|
Транзистор N канальный IGBT, 600В, 75А
|
|
|
1 920.00
|
|
|
|
HGTG40N60A4 |
|
Транзистор N канальный IGBT, 600В, 75А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG40N60A4 |
|
Транзистор N канальный IGBT, 600В, 75А
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HGTG40N60A4 |
|
Транзистор N канальный IGBT, 600В, 75А
|
ONS-FAIR
|
21
|
1 885.49
|
|
|
|
HGTG40N60A4 |
|
Транзистор N канальный IGBT, 600В, 75А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
L6386D |
|
Драйверы FET-IGBT ; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L6386D |
|
Драйверы FET-IGBT ; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; ...
|
|
|
480.00
|
|
|
|
L6386D |
|
Драйверы FET-IGBT ; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6386D |
|
Драйверы FET-IGBT ; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
L6386D |
|
Драйверы FET-IGBT ; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
39
|
|
|