STN3PF06

Версия для печати

Технические характеристики STN3PF06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STN3PF06 (MOSFET)

P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STN3PF06 datasheet
251.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SJ598	P-MOS 60V, 12A, 23W	NEC
2SJ598	P-MOS 60V, 12A, 23W			127.60
IRF7319TRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7319TRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7319TRPBF		INFINEON	736	59.93
IRF7319TRPBF			2 807	53.46
IRF7319TRPBF		TECH PUBLIC
NTD20P06LT4G		ON SEMICONDUCTOR
NTD20P06LT4G		ONS
NTD20P06LT4G
NTD20P06LT4G		ON SEMICONDUCTOR
NTD20P06LT4G		ON SEMICONDUCTO
ВП1-2 4А			800	27.86
ВП1-2 4А		РАДИОДЕТАЛЬ	8	27.56
ВП1-2 4А		10
ВП1-2 1А	Вставка плавкая (предохранитель) для защиты электрических сетей от перегрузок и токов ...		3 243	34.45
ВП1-2 1А	Вставка плавкая (предохранитель) для защиты электрических сетей от перегрузок и токов ...	РАДИОДЕТАЛЬ	288	27.59
ВП1-2 1А	Вставка плавкая (предохранитель) для защиты электрических сетей от перегрузок и токов ...	2360
ВП1-2 1А	Вставка плавкая (предохранитель) для защиты электрических сетей от перегрузок и токов ...	360