|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STripFET™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
|
STN3PF06 (MOSFET) P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W | NEC |
|
|
|||
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W |
|
127.60 | ||||
| IRF7319TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7319TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7319TRPBF | INFINEON | 552 | 70.26 | |||||
| IRF7319TRPBF | 2 807 | 51.53 | ||||||
| IRF7319TRPBF | TECH PUBLIC |
|
|
|||||
| TLC374CDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLC374CDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLC374CDR |
|
|
||||||
| TLC374CDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 740 |
|
|||||
|
|
ВП1-2 4А | 832 | 27.39 | |||||
|
|
ВП1-2 4А | РАДИОДЕТАЛЬ | 8 | 35.94 | ||||
|
|
|
ВП1-2 1А |
|
Вставка плавкая (предохранитель) для защиты электрических сетей от перегрузок и токов ... |
|
22.84 | ||
|
|
|
ВП1-2 1А |
|
Вставка плавкая (предохранитель) для защиты электрических сетей от перегрузок и токов ... | РАДИОДЕТАЛЬ | 2 288 | 35.94 |