STN3PF06
Транзистор
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STripFET™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STN3PF06 (MOSFET) P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDN5618P | FAIR |
|
|
|||||
| FDN5618P | FSC |
|
|
|||||
| FDN5618P | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDN5618P | FAIRCHILD | 24 |
|
|||||
| FDN5618P | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FDN5618P | 7 040 | 8.42 | ||||||
| FDN5618P | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| FDN5618P | ONS | 9 611 | 22.14 | |||||
| FDN5618P | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| FDN5618P | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ONS |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G |
|
|
||||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTD20P06LT4G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| TLC374CDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLC374CDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLC374CDR |
|
|
||||||
| TLC374CDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 740 |
|
|||||
 |
ВП1-2 4А | 992 | 27.39 | |||||
|
|
ВП1-2 4А | РАДИОДЕТАЛЬ | 8 | 35.94 | ||||
| ВП1-2-2А | 5 208 | 40.48 | ||||||
| ВП1-2-2А | ПУТИВЛЬ | 7 138 | 8.40 | |||||
| ВП1-2-2А | РАДИОДЕТАЛЬ |
|
|
|||||
| ВП1-2-2А | ЗУБОВА ПОЛЯНА | 692 | 46.20 | |||||
| ВП1-2-2А | ЗУЮОВА ПОЛЯНА |
|
|
