STN3PF06

Версия для печати

Технические характеристики STN3PF06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STN3PF06 (MOSFET)

P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STN3PF06 datasheet
251.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74LV4066DB		PHILIPS
74LV4066DB		PHILIPS	2 210
BZV55C12/T1	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	NXP	55 984	1.36
BZV55C12/T1	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	NEXPERIA	222	1.46
BZV55C12/T1	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	0.00
BZV55C12/T1	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
RGE1100		RAYCHEM
RGE1100
RGE1100		RAYCHEM
RGE1100		TE Connectivity
RGE1100
SG3525ANG		ON SEMICONDUCTOR
SG3525ANG				100.00
SG3525ANG		ON SEMICONDUCTOR
SG3525ANG		ONS	89	148.03
SG3525ANG		ON SEMICONDUCTO
SG3525ANG		STMICROELECTR
SG3525ANG		ONSEMICONDUCTOR
SG3525ANG		4-7 НЕДЕЛЬ	587
STTH2003CG	Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P	ST MICROELECTRONICS
STTH2003CG	Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P			192.00
STTH2003CG	Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P	STMicroelectronics
STTH2003CG	Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P	ST MICROELECTRO