|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
730
|
259.07
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
504
|
368.34
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
866
|
367.79
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
|
|
70.24
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
14
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
|
1 133.24
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
20
|
871.20
|
|
|
|
IRS21531DS |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRS21531DS |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRS21531DS |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRS21531DS |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
318
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 621
|
35.36
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STN3NF06L |
|
N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
|
|
|
|
|