|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
|
|
32.00
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BOCHEN
|
25 445
|
8.80
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
|
|
288.00
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
12
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
308
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
118 140
|
2.86
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
19 470
|
5.02
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
105 298
|
2.76
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 800
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
23 008
|
8.25
|
|
|
|
IRLR3105 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLR3105 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
57.20
|
|
|
|
IRLR3105 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
|
|
92.00
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
FAIRCHILD
|
296
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
SILICONIX
|
1
|
|
|