Версия для печати
Технические характеристики C8051F410-GQR

Производитель	Silicon Laboratories Inc.
Количество в упаковке	500 шт.
Вес	0.513 г
Архитектура	8051
Flash	32K byte
RAM	2.25K byte
Напряжение питания	CORE: 2…5.25 В, IO: 2…5.25 В
АЦП	20 x 12bit (200SPS)
ЦАП	2 x 12bit
Сторожевой таймер	есть
Часы реального времени	есть
Универсальный последовательный порт	1 шт
Корпус (размер)	LQFP32
Рабочая температура	-40...85 °C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ADG719BRTZ-REEL7		Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6	ANALOG DEVICES	1	144.71
		ADG719BRTZ-REEL7		Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6	ANALOG
		ADG719BRTZ-REEL7		Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6	Analog Devices Inc
		ADG719BRTZ-REEL7		Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6	ANALOG DEVICES	6
		ADG719BRTZ-REEL7		Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6		553	82.03
		ADG719BRTZ-REEL7		Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6	4-7 НЕДЕЛЬ	516
		ADG719BRTZ-REEL7		Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6	ADI
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 800	3.15
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	142 382	2.02
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	11 208	3.63
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	62 411	2.08
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 000	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	29 946	5.33
		SS495A1-T3		Датчик Холла, диапазон -670..670 Гс ( -67..67 мТ), чувствительность 3.125+0.094 мВ/Гс, ...	HONEY
		SS495A1-T3		Датчик Холла, диапазон -670..670 Гс ( -67..67 мТ), чувствительность 3.125+0.094 мВ/Гс, ...	Honeywell Sensing and Control
		ИВЛ2-7/5		Люминисцентный часовой индикатор ИВЛ2-7/5 зелёного свечения. 4 разряда 7-сегментных ...		15	201.60
		ИВЛ2-7/5		Люминисцентный часовой индикатор ИВЛ2-7/5 зелёного свечения. 4 разряда 7-сегментных ...	ВИННИЦА
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		1 572	12.88
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	2 450	7.79
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК	5 600	14.07
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ	96	6.30
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК	19 417	14.07
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 136	9.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"