| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAS316/T1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316/T1 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
 |
 |
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1
|
55.79
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS
|
1 372
|
52.42
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
HGSEMI
|
4 060
|
17.29
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
714
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
187 394
|
2.89
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
21 150
|
4.86
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
108 948
|
2.83
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 800
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
24 225
|
8.45
|
|
|
|
|
MSP430F249TPM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F249TPM |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F249TPM |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F249TPM |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F249TPM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
224
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
ТОМСК
|
|
|
|
Версия для печати
