| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 420mV @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 30V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123 |
| Корпус | SOD-123 |
| Product Change Notification | Encapsulate Change 29/Aug/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
|
|
288.00
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
12
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
747
|
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
|
|
788.00
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
738
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
RAMTRON
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
|
2
|
272.00
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
521
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
3.20
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
66 827
|
1.97
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 885
|
5.09
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
388
|
2.19
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
2 482
|
5.41
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
11 812
|
2.38
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
1
|
2.47
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
60
|
17.43
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
|
70
|
55.44
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L78L05ABZ |
|
Стабилизатор напряжения +5V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
480
|
|
|