Версия для печати
Технические характеристики C8051F410-GQR

Производитель	Silicon Laboratories Inc.
Количество в упаковке	500 шт.
Вес	0.513 г
Архитектура	8051
Flash	32K byte
RAM	2.25K byte
Напряжение питания	CORE: 2…5.25 В, IO: 2…5.25 В
АЦП	20 x 12bit (200SPS)
ЦАП	2 x 12bit
Сторожевой таймер	есть
Часы реального времени	есть
Универсальный последовательный порт	1 шт
Корпус (размер)	LQFP32
Рабочая температура	-40...85 °C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CD4017BE		Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C	ST MICROELECTRONICS
		CD4017BE		Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C	TEXAS INSTRUMENTS	800	53.88
		CD4017BE		Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C			50.00
		CD4017BE		Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C	TEXAS	882	57.78
		CD4017BE		Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C	TEXAS INSTRUMEN
		CD4017BE		Стандартная логика DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS -55/+125 C	4-7 НЕДЕЛЬ	293
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 600	3.20
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	247 161	2.58
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	17 883	5.30
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	169	2.03
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 000	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	22 344	4.99
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	11 404	2.21
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.81
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	3.16
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...	NEC
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...	RENESAS
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...	CEL
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...	NEC ELECTRONICS
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...	ЯПОНИЯ
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.	НОВОСИБИРСК
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.	ХАБАРОВСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 103	38.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	14 180	46.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 640	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	47
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8658
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	88
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8879

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"