| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
|
4
|
33.30
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
HGSEMI
|
1 688
|
10.57
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
510
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
3.20
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
252 624
|
2.68
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 885
|
4.92
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
12 170
|
2.10
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
17 498
|
5.18
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
11 404
|
2.29
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
1
|
2.47
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.91
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
3.28
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
CEL
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
NEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
|
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
1 779
|
38.64
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
14 386
|
46.64
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 640
|
84.72
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
47
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8658
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
88
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8879
|
|
|
|
Версия для печати
