| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BFT92 |
|
СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BFT92 |
|
СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BFT92 |
|
СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BFT92 |
|
СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт
|
|
|
37.44
|
|
|
|
|
BFT92 |
|
СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BFT92 |
|
СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BFT92 |
|
СВЧ 5ГГц 15В/ 25mA/0.3Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BLT53 |
|
ВЧ 470МГц 7.5В/ / 8Вт Gp>6Дб
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BLT53 |
|
ВЧ 470МГц 7.5В/ / 8Вт Gp>6Дб
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BLT53 |
|
ВЧ 470МГц 7.5В/ / 8Вт Gp>6Дб
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BLT53 |
|
ВЧ 470МГц 7.5В/ / 8Вт Gp>6Дб
|
|
|
1 586.84
|
|
|
|
|
BLT80 |
|
ВЧ 900МГц 7.5В/ /0.8Вт Gp>6Дб
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BLT80 |
|
ВЧ 900МГц 7.5В/ /0.8Вт Gp>6Дб
|
|
|
332.32
|
|
|
|
|
BLT81 |
|
ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб
|
|
44
|
148.00
|
|
|
|
|
BLT81 |
|
ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BLT81 |
|
ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BS107 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.15A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BS107 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.15A
|
|
|
27.28
|
|
|
|
|
BS108 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
52
|
8.34
|
|
|
|
|
BS108 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A
|
|
|
28.04
|
|
|
|
|
BS108 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BS108 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BSH103 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BSH103 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BSH103 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BSH103 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
18.08
|
|
|
|
|
BSH103 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
NXP
|
78
|
|
|
|
|
|
BSH103 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BSH103 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BSM100GB120DN2K |
|
Тиристор
|
|
|
12 235.92
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
|
|
39.16
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
КИТАЙ
|
4 616
|
133.60
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BSP295 |
|
Транзистор полевой SMD N-канальный 60V 1,8A 1,8W 0,3R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BSP295 |
|
Транзистор полевой SMD N-канальный 60V 1,8A 1,8W 0,3R
|
|
|
67.28
|
|
|
|
|
BSP33 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BSP33 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BSP33 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BSP33 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
40.76
|
|
|
|
|
BSP50 |
|
Транзистор биполярный составной
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BSP50 |
|
Транзистор биполярный составной
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BSP50 |
|
Транзистор биполярный составной
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BSP50 |
|
Транзистор биполярный составной
|
PHILIPS
|
1 391
|
|
|
|
|
|
BSP50 |
|
Транзистор биполярный составной
|
|
|
31.60
|
|
|
|
|
BSP50 |
|
Транзистор биполярный составной
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
