|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 310mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 300mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
|
BSN254 N-channel Enhancement Mode Vertical D-mos Transistor Также в этом файле: BSN254A
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
0603-1 5% |
|
ЧИП — резистор | FAITHFUL LINK |
|
|
||
|
|
0603-1 5% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.52 >100 шт. 0.76 |
|||
| MRF89XA-I/MQ |
|
ВЧ трансивер для экономичных применений | MICRO CHIP |
|
|
|||
| MRF89XA-I/MQ |
|
ВЧ трансивер для экономичных применений |
|
818.40 | ||||
| MRF89XA-I/MQ |
|
ВЧ трансивер для экономичных применений | Microchip Technology |
|
|
|||
| MRF89XA-I/MQ |
|
ВЧ трансивер для экономичных применений | 4-7 НЕДЕЛЬ | 85 |
|
|||
| С2-29 0.125 1% 3.01К | РЕСУРС |
|
|
|||||
| С2-29 0.125 1% 4.02К | РЕСУРС |
|
|
|||||
| ЧИП ТАНТАЛ 100МКФ 10В20%ТИПD | SAMSUNG |
|
|
|||||
| ЧИП ТАНТАЛ 100МКФ 10В20%ТИПD | CHINA |
|
|