BSH103

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSH103		18.08
BSH103 (NXP.)	78	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSH103

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 500mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	850mA
Vgs(th) (Max) @ Id	400mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	83pF @ 24V
Power - Max	540mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSH103 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-channel Enhancement Mode Mos Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BSH103 datasheet
100.2Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
14D471K			98	23.12
14D471K		HEL
14D471K		470V 14MM
14D471K		КИТАЙ
2SC3040	Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W	SANYO
2SC3040	Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W			65.32
2SC3040	Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W	SAN
2SC3040	Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W	КИТАЙ
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
R300-09580 5.0V			6	22.51
R300-09580 5.0V			6	22.51
S14K420	Варистор 680В, 130Дж	JOYIN
S14K420	Варистор 680В, 130Дж	EPCOS
S14K420	Варистор 680В, 130Дж			21.04
S14K420	Варистор 680В, 130Дж	EPCOS Inc
S14K420	Варистор 680В, 130Дж	TDK (EPCOS)