BLT80

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BLT80		332.32

Версия для печати

Технические характеристики BLT80

Frequency - Transition	900MHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	10V
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 150mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)	250mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BLT80 (Радиочастотные биполярные транзисторы)

Uhf Power Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BLT80 datasheet
106.51Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BFG540/X	СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	NXP
BFG540/X	СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	PHILIPS
BFG540/X	СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт			27.68
BFG540/X	СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	NXP
BFG540/X	СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	PHILIPS
BFG540/X	СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	КИТАЙ
BFG540/X	СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	1
BFG591	Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт	NXP
BFG591	Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт	PHILIPS
BFG591	Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт
BFG591	Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт	PHILIPS
BFG591	Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт
BLT81	ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб		44	148.00
BLT81	ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб	NXP
BLT81	ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб	NXP
NE5520379A-A				529.60
NE5520379A-A		RENESAS
NE5520379A-A		CEL
RD07MVS1B		MITSUBISHI
RD07MVS1B				755.20
RD07MVS1B		MIT