BS108
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 2.8V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 300mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BS108 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJITSU |
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJI ELECTRIC | 4 | 260.82 | |
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W |
|
228.48 | ||
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJI |
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJ |
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
| SQP 5W 0.1 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| SQP-10W10KJ (10ВТ,10К,5%) |
|
|
||||||
 |
|
TDA8425 |
|
AUD пpоцессоp стеpео Hi-Fi, упpавляемый I2C-bus | NXP |
|
|
|
|
|
|
TDA8425 |
|
AUD пpоцессоp стеpео Hi-Fi, упpавляемый I2C-bus | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
TDA8425 |
|
AUD пpоцессоp стеpео Hi-Fi, упpавляемый I2C-bus |
|
175.68 | ||
|
|
|
TDA8425 |
|
AUD пpоцессоp стеpео Hi-Fi, упpавляемый I2C-bus | PHILIPS | 607 |
|
|
|
|
|
TDA8425 |
|
AUD пpоцессоp стеpео Hi-Fi, упpавляемый I2C-bus | СИНГАПУР |
|
|
|
|
|
|
TDA8425 |
|
AUD пpоцессоp стеpео Hi-Fi, упpавляемый I2C-bus | 4-7 НЕДЕЛЬ | 142 |
|
