![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 2.8V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 300mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 1mA |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Корпус | TO-92-3 |
BS108 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
2SK956 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJITSU |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2SK956 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJI ELECTRIC | 4 | 260.82 | |
![]() |
![]() |
2SK956 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W |
![]() |
228.48 | ||
![]() |
![]() |
2SK956 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJI |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2SK956 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2SK956 |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | МАЛАЙЗИЯ |
![]() |
![]() |
|
SQP 5W 0.1 5% | YAGEO |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|