BLT80

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BLT80		332.32

Версия для печати

Технические характеристики BLT80

Frequency - Transition	900MHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	10V
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 150mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)	250mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BLT80 (Радиочастотные биполярные транзисторы)

Uhf Power Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BLT80 datasheet
106.51Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ADT1-1WT		MINI CIRCUITS
ADT1-1WT				505.20
ADT1-1WT		MINI CIRCUITS
ADT1-1WT		MINICIR
ADT1-1WT		4-7 НЕДЕЛЬ	326
BFG591	Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт	NXP
BFG591	Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт	PHILIPS
BFG591	Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт
BFG591	Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт	PHILIPS
BFG591	Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт
NJM2903D	Компаратор сдвоенный, серия 193	JRC	80	35.91
NJM2903D	Компаратор сдвоенный, серия 193	NEW JAPAN RADIO
NJM2903D	Компаратор сдвоенный, серия 193			47.60
NJM2903D	Компаратор сдвоенный, серия 193	NEW JAPAN RADIO
NJM2903D	Компаратор сдвоенный, серия 193	NJR
NJM2903D	Компаратор сдвоенный, серия 193	4-7 НЕДЕЛЬ	184
NP0 68PF 5% 50V		SUNTAN
КТ610Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ...		16	555.00
КТ610Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ...	МИНСК