|
Frequency - Transition | 900MHz |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Power - Max | 2W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 150mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
BLT80 (Радиочастотные биполярные транзисторы) Uhf Power Transistor
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFG591 | Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт | NXP | 32 | 125.95 | ||||
BFG591 | Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт | PHILIPS | ||||||
BFG591 | Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт | |||||||
BFG591 | Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт | PHILIPS | ||||||
BFG591 | Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт | |||||||
BLT81 | ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб | 270.12 | ||||||
BLT81 | ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб | NXP | ||||||
BLT81 | ВЧ 900МГц 7.5В/ /1.2Вт Gp>6Дб | NXP | ||||||
NE5520379A-A | 529.60 | |||||||
NE5520379A-A | RENESAS | |||||||
NE5520379A-A | CEL | |||||||
RD07MVS1B | MITSUBISHI | |||||||
RD07MVS1B | 755.20 | |||||||
RD07MVS1B | MIT | |||||||
SA636DK | ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20 | 2 | 158.40 | |||||
SA636DK | ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20 | PHILIPS | ||||||
SA636DK | ИМС ЧМ СМЕСИТ.SSOP20 | PHILIPS |
|