Версия для печати
Технические характеристики BFT92

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition	5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	2.5dB @ 500MHz
Power - Max	300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 14mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)	25mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

BFT92W PNP Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 2GHz at collector currents up to 20mA) Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BFT92 datasheet 60.63Kb 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

ВЧ транзисторы (биполярные)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD9235BRU-20			ANALOG DEVICES
		AD9235BRU-20			ANALOG DEVICES
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA	112 876	2.25
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C		140	4.68
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MUR	448 800	1.04
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	Murata Electronics North America
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	ЯПОНИЯ
		BLM21PG221SN1D		Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA*
		SN74LVC1G14DBVR		Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)	TEXAS INSTRUMENTS
		SN74LVC1G14DBVR		Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)			6.36
		SN74LVC1G14DBVR		Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)	TEXAS INSTRUMENTS	2 600
		SN74LVC1G14DBVR		Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)	TEXAS	45 599	7.19
		SN74LVC1G14DBVR		Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)	TEXAS INSTRUMEN
		SN74LVC1G14DBVR		Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)	YOUTAI	5 860	2.81
		SN74LVC1G14DBVR		Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)	UMW	1 840	4.13
		SN74LVC1G14DBVR		Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)	UMW-YOUTAI
		SN74LVC1G14DBVR		Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)	4-7 НЕДЕЛЬ	253
		SN74LVC1G34DCKR			Texas Instruments
		SN74LVC1G34DCKR			TEXAS INSTRUMENTS	728
		SN74LVC1G34DCKR				4
		SN74LVC1G34DCKR			TEXAS
		SN74LVC1G34DCKR			4-7 НЕДЕЛЬ	421

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"