BSH103

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSH103		18.08
BSH103 (NXP.)	78	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSH103

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 500mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	850mA
Vgs(th) (Max) @ Id	400mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	83pF @ 24V
Power - Max	540mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSH103 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-channel Enhancement Mode Mos Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BSH103 datasheet
100.2Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5249	Биполярный транзистор NPN 600V, 3A, 35W		2	173.88
2SC5249	Биполярный транзистор NPN 600V, 3A, 35W	SK
2SC5249	Биполярный транзистор NPN 600V, 3A, 35W	SANKEN
BUT11AF	Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	NXP
BUT11AF	Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	PHILIPS	22	137.80
BUT11AF	Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A		11	136.08
BUT11AF	Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	INCHANG
BUT11AF	Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	UNKNOWN
BUT11AF	Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	МАЛАЙЗИЯ
BUT11AF	Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	ISCSEMI
BUT11AF	Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	1
LA4631	PA 2X5W (14V/4 Ом)	SANYO
LA4631	PA 2X5W (14V/4 Ом)			226.48
LA4631	PA 2X5W (14V/4 Ом)	SAN
LA4631	PA 2X5W (14V/4 Ом)	4-7 НЕДЕЛЬ	88
R300-09580 5.0V			6	22.51
R300-09580 5.0V			6	22.51
T3512H				42.00
T3512H				42.00