AD706AR


2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 0,05 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,75 мА, Uп = 4..36 В, -40..+85°C

Купить AD706AR по цене 351.50 руб.  (без НДС 20%)
AD706AR 2 ОУ бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм =...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
AD706AR 56 351.50 
AD706AR (4-7 НЕДЕЛЬ) 330 3-4 недели
Цена по запросу

2 ОУ бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, Iвх = 0,05 нА, Iвых = 10 мА, Iп = 0,75 мА, Uп = 4...36 В, -40...+85°C, SOIC8.
Версия для печати

Технические характеристики AD706AR

Корпус8-SOIC
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)4 V ~ 36 V, ±2 V ~ 18 V
Ток выходной / канал15mA
Ток выходной750µA
Напряжение входного смещения30µV
Ток - входного смещения50pA
Полоса пропускания -3Дб800kHz
Скорость нарастания выходного напряжения0.15 V/µs
Число каналов2
Тип усилителяGeneral Purpose
Lead Free Status / RoHS StatusRoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

AD706 (Прецизионные операционные усилители)

Dual Picoampere Input Current Bipolar Op Amp

Также в этом файле: AD706AR, AD706AR-REEL, AD706ARE

Производитель:
Analog Devices
//www.analog.com

AD706AR datasheet
248.79Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2N7002L Small signal mosfet 60 v, 115 ma, n-channel sot-23   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N7002L Small signal mosfet 60 v, 115 ma, n-channel sot-23   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N7002L Small signal mosfet 60 v, 115 ma, n-channel sot-23     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   BOURNS 2 450 104.19 
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)     Заказ радиодеталей 460.12 
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   Bourns Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   ANALOG DEVICES 4 566.08 
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения     1 321 185.00 
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   ANALOG DEVICES 96 цена радиодетали
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   Analog Devices Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   4-7 НЕДЕЛЬ 187 цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONS 1 760 8.27 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)     Заказ радиодеталей 7.20 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 1 003 цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL074CPW   Texas Instruments Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL074CPW   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL074CPW   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL074CPW     Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL074CPW   4-7 НЕДЕЛЬ 514 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход