2N7002L


Small signal mosfet 60 v, 115 ma, n-channel sot-23

Купить 2N7002L ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
2N7002L
Версия для печати

Технические характеристики 2N7002L

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C115mA
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
Power - Max225mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2N7002L (MOSFET)

Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23

Производитель:
ON Semiconductor

2N7002L datasheet
72 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   BOURNS 2 200 93.40 
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)     Заказ радиодеталей 460.12 
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   Bourns Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   BOCHEN 1 93.12 
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   ANALOG DEVICES 4 566.08 
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения     1 236 185.00 
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   ANALOG DEVICES 96 цена радиодетали
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   Analog Devices Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   4-7 НЕДЕЛЬ 187 цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 4 581 2.12 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONS 1 680 8.27 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)     3 7.20 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 1 003 цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805FR-0720R5L     YAGEO 6 385 0.75 
>1000 шт.   0.15 
    RC0805FR-0720R5L     YAGEO 45 цена радиодетали
    RC0805FR-0720R5L       Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL074CPW   Texas Instruments Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL074CPW   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL074CPW   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL074CPW     Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL074CPW   4-7 НЕДЕЛЬ 514 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход