|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1402ARWZ-RL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
488
|
299.63
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ-RL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
1 103
|
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ-RL |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ-RL |
|
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ-RL |
|
|
|
1 384
|
237.67
|
|
|
|
ADUM1402ARWZ-RL |
|
|
ADI
|
3 744
|
217.95
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
17 999
|
7.42
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
|
4
|
18.00
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MUR
|
173 132
|
5.48
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
85 564
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
LM317D2T-TR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 1,2-37V 0,1A
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317D2T-TR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 1,2-37V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 518
|
53.72
|
|
|
|
LM317D2T-TR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 1,2-37V 0,1A
|
|
480
|
51.72
|
|
|
|
LM317D2T-TR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 1,2-37V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM317D2T-TR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 1,2-37V 0,1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM317D2T-TR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 1,2-37V 0,1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM317D2T-TR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 1,2-37V 0,1A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM317D2T-TR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 1,2-37V 0,1A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM317D2T-TR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 1,2-37V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
227
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
30 865
|
4.14
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
160
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
44 736
|
2.33
|
|
|
|
REF192ESZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+2мВ, 2ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
955.90
|
|
|
|
REF192ESZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+2мВ, 2ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C
|
|
|
459.60
|
|
|
|
REF192ESZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+2мВ, 2ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF192ESZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+2мВ, 2ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
32
|
|
|
|
|
REF192ESZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+2мВ, 2ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF192ESZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+2мВ, 2ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
REF192ESZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+2мВ, 2ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF192ESZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+2мВ, 2ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C
|
AD1
|
|
|
|
|
|
REF192ESZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+2мВ, 2ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
708
|
|
|