2N7002L

Версия для печати

Технические характеристики 2N7002L

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	115mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 25V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2N7002L (MOSFET)

Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23

Производитель:
ON Semiconductor

2N7002L datasheet
72 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD706AR	2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...	ANALOG DEVICES
AD706AR	2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...		64	351.50
AD706AR	2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...	Analog Devices Inc
AD706AR	2 Операционный усилитель бипл., супер b, 0,8 МГц, 0,15 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,2 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	330
APT1608CGCK		Kingbright Corp
APT1608CGCK
APT1608CGCK		KGB	5 836	7.16
APT1608CGCK		KB
APT1608CGCK		KINGBRIGHT
BLM41PG102SN1L	Дроссель подавления ЭМП 1806	MURATA
BLM41PG102SN1L	Дроссель подавления ЭМП 1806		8	32.80
BLM41PG102SN1L	Дроссель подавления ЭМП 1806	MUR	31 737	6.69
BLM41PG102SN1L	Дроссель подавления ЭМП 1806	Murata Electronics North America
IRF7907TRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7907TRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER	1 301
IRF7907TRPBF		INFINEON
LTST-C191KFKT		Lite-On Inc
LTST-C191KFKT		LITE-ON
LTST-C191KFKT		LIT	26 643	1.15
LTST-C191KFKT