|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
470МКФ 25 (8X14)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
ANALOG DEVICES
|
4
|
703.80
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
|
1 609
|
176.00
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
ANALOG DEVICES
|
92
|
|
|
|
|
AD8009AR |
|
Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.48
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 146
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
STM32F303CCT6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
344
|
1 082.40
|
|
|
|
STM32F303CCT6 |
|
|
|
28
|
493.98
|
|
|
|
STM32F303CCT6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
77
|
|
|
|
|
TPS7A4701RGWR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPS7A4701RGWR |
|
|
|
|
|
|
|
|
TPS7A4701RGWR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TPS7A4701RGWR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
26
|
|
|