2N7002L


Small signal mosfet 60 v, 115 ma, n-channel sot-23

Купить 2N7002L ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
2N7002L
Версия для печати

Технические характеристики 2N7002L

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C115mA
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
Power - Max225mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2N7002L (MOSFET)

Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23

Производитель:
ON Semiconductor

2N7002L datasheet
72 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   BOURNS 2 160 103.14 
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)     Заказ радиодеталей 460.12 
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   Bourns Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   ANALOG DEVICES 4 521.64 
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения     1 321 185.00 
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   ANALOG DEVICES 96 цена радиодетали
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   Analog Devices Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
AD8009AR Операционный усилитель быстродейств:1000 МГц, 5500В/мкС, ОС по току, низкие искажения   4-7 НЕДЕЛЬ 613 цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 12 2.23 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONS 2 320 8.27 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)     Заказ радиодеталей 7.20 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 1 003 цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805FR-0720R5L     YAGEO 6 475 0.75 
>1000 шт.   0.15 
    RC0805FR-0720R5L     YAGEO 45 цена радиодетали
    RC0805FR-0720R5L       Заказ радиодеталей цена радиодетали
RC0805FR-075R11L   Yageo Заказ радиодеталей цена радиодетали
RC0805FR-075R11L     Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход