Версия для печати
Технические характеристики 2N7002L

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	115mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 25V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

2N7002L (MOSFET) Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23 Производитель: ON Semiconductor 2N7002L datasheet 72 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	NXP
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	PHILIPS
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт			37.48
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	PHILIPS	4
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	ГЕРМАНИЯ
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA	12 560	7.45
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A		4	18.00
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MUR	142 696	3.68
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA	85 564
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	Murata Electronics North America
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	ЯПОНИЯ
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA*
		LM1117MP-3.3			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117MP-3.3			NSC
		LM1117MP-3.3					64.40
		LM1117MP-3.3			ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM1117MP-3.3			TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117MP-3.3			TEXAS
		LM1117MP-3.3			4-7 НЕДЕЛЬ	773
		LM1117MP-3.3			HGSEMI	1	20.82
		OPA2340UA		ИМС 2xОперационный усилитель SingS 5,5МГц 6В/мкс	TEXAS INSTRUMENTS	80	258.30
		OPA2340UA		ИМС 2xОперационный усилитель SingS 5,5МГц 6В/мкс	BURR-BROWN
		OPA2340UA		ИМС 2xОперационный усилитель SingS 5,5МГц 6В/мкс	TEXAS
		OPA2340UA		ИМС 2xОперационный усилитель SingS 5,5МГц 6В/мкс			213.88
		OPA2340UA		ИМС 2xОперационный усилитель SingS 5,5МГц 6В/мкс	BURR-BROWN	20
		OPA2340UA		ИМС 2xОперационный усилитель SingS 5,5МГц 6В/мкс	США
		OPA2340UA		ИМС 2xОперационный усилитель SingS 5,5МГц 6В/мкс	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		OPA2340UA		ИМС 2xОперационный усилитель SingS 5,5МГц 6В/мкс	ECW EC
		OPA2340UA		ИМС 2xОперационный усилитель SingS 5,5МГц 6В/мкс	TEXAS INSTRUMENTS
		OPA2340UA		ИМС 2xОперационный усилитель SingS 5,5МГц 6В/мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	145
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet			88.00
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	STMicroelectronics
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"