2N7002L

Версия для печати

Технические характеристики 2N7002L

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	115mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 25V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2N7002L (MOSFET)

Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23

Производитель:
ON Semiconductor

2N7002L datasheet
72 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
APT1608CGCK		Kingbright Corp
APT1608CGCK
APT1608CGCK		KGB	13 358	7.31
APT1608CGCK		KB
APT1608CGCK		KINGBRIGHT
KLS7-TS3608-5.0-180-T		KLS
KLS7-TS3608-5.0-180-T
LM317LDG	(SMD) SO8	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM317LDG	(SMD) SO8	ON SEMICONDUCTOR
LM317LDG	(SMD) SO8			22.88
LM317LDG	(SMD) SO8	ON SEMICONDUCTOR	180
LM317LDG	(SMD) SO8	ONS
LM317LDG	(SMD) SO8	ON SEMICONDUCTO
LM317LDG	(SMD) SO8	4-7 НЕДЕЛЬ	509
NTCS0805E3103JMT		Vishay/BC Components
NTCS0805E3103JMT		VISHAY
NTCS0805E3103JMT				110.80
NTCS0805E3103JMT		VISHAY	2 064
REF198GS	Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES	1	378.00
REF198GS	Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C			246.48
REF198GS	Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C	Analog Devices Inc
REF198GS	Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES	2
REF198GS	Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C	INTERNATIONAL RECTIFIER
REF198GS	Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	514