Версия для печати
Технические характеристики BT152-600R

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
SCR Type	Standard Recovery
Voltage - Off State	650V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	1.5V
Voltage - On State (Vtm) (Max)	1.75V
Current - On State (It (AV)) (Max)	13A
Current - On State (It (RMS)) (Max)	20A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	32mA
Current - Hold (Ih) (Max)	60mA
Current - Off State (Max)	1mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	200A, 220A
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

BT152 (Тиристоры) Thyristors Также в этом файле: BT152-600R Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BT152-600R datasheet 47.64Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Тиристоры - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0.22UFX16VY5V,+80-20%(Z)			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BD241C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W	ST MICROELECTRONICS
		BD241C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD241C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W		4	93.00
		BD241C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD241C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD241C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W	ST MICROELECTRO
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	NXP
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIR
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTRONICS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIRCHILD
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	UNKNOWN
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FAIRCHILD
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	NXP	128
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	STMICROELECTRONICS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	Fairchild Semiconductor
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	INCHANGE SEMIC
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTR
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST1
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FSC
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ISC
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS			45.48
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	PHILIPS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	FSC1
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ST MICROELECTRO
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ONS
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	ONS-FAIR
		BUT11A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS	1
		MC7809CTG		Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		MC7809CTG		Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ONS	1	34.12
		MC7809CTG		Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)		800	24.48
		MC7809CTG		Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		MC7809CTG		Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTO
		MC7809CTG		Линейный СН (Vout=9.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +125C)	4-7 НЕДЕЛЬ
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц		853	117.18
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ONS
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ST MICROELECTR
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ST MICROELECTRONICS
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	STMICROELECTR
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	HOTTECH	14	23.75
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	KEC
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ZH
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	FAIRCHILD	12	17.26
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	KLS
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ZHONGDI
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	БРЯНСК
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ISC	135	54.61
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	388
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	600
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	83
		MJE13007		Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	JSMICRO	192	26.15

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"