Версия для печати
Технические характеристики BD241C

Корпус	TO-220AB
Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	3MHz
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max)	300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

BD241 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Также в этом файле: BD241C Производитель: Bourns Electronic Solutions //www.bourns.ru BD241C datasheet 107.3Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAI/QTC
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAIR
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	PHILIPS
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FSC
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	NXP
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	MCC
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAIRCHILD
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAIRCHILD
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	NXP	1 066
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	PHILIPS	15 999
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	Fairchild Semiconductor
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	ГОНКОНГ
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz			7.88
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	1
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	MOTOROLA
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	Fairchild Semiconductor
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ISCSEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10			35.68
		BT152-600R		Тиристор 20A 600В	NXP
		BT152-600R		Тиристор 20A 600В		729	21.86
		BT152-600R		Тиристор 20A 600В	КИТАЙ
		BT152-600R		Тиристор 20A 600В	NXP
		BT152-600R		Тиристор 20A 600В	1
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	VISHAY	7	21.48
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	INFINEON
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LITE ON OPTOELECTRONICS
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	MOTOROLA
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	VISHAY	1 920
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LIT	5 225	7.58
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA		18	56.70
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LITE-ON
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	9
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	MOTOROLA	171	21.48
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	EVERLIGHT	1 320	21.48
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	FAIRCHILD	35	21.48
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	1
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	TOSHIBA	8	21.48
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	1600
		CNY17-2		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	36
		UA741CD					26.12
		UA741CD			TEXAS INSTRUMENTS
		UA741CD			PHILIPS
		UA741CD			SGS
		UA741CD			ST MICROELECTRONICS	21 417	14.32
		UA741CD			PHILIPS
		UA741CD			SGS THOMSON
		UA741CD			ST MICROELECTRONICS SEMI
		UA741CD			STMicroelectronics
		UA741CD			ГЕРМАНИЯ
		UA741CD			TEXAS INSTRUMENTS	276
		UA741CD			TEXAS
		UA741CD			4-7 НЕДЕЛЬ	745

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"