Версия для печати
Технические характеристики MJE3055T

Current - Collector (Ic) (Max)	10A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)	700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 4A, 4V
Power - Max	75W
Frequency - Transition	2MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

UTCMJE3055T (Биполярные транзисторы) NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE Производитель: Unisonic Technologies //www.utc-ic.com MJE3055T datasheet 11.35Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6488		Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150			104.00
		2N6488		Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150	ON SEMICONDUCTOR
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRONICS
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)		4	75.60
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	STMicroelectronics
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRO
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	STMICROELECTR
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	1
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	MOTOROLA
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	FAIR
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	ON SEMICONDUCTOR
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	ST MICROELECTRONICS
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	FAIRCHILD
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	FAIRCHILD
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	MOTOROLA
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	ON SEMICONDUCTOR	1
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	Fairchild Semiconductor
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	STMicroelectronics
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	ST MICROELECTRO
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRONICS	40	49.14
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...			63.88
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMicroelectronics
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ТАИЛАНД
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST1
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRO
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMICROELECTR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	PEACOCK	4	12.72

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)			17.72
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	121	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	750	10.40
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	10 372	8.31
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	2.93
		BT152-600R		Тиристор 20A 600В	NXP
		BT152-600R		Тиристор 20A 600В		1 005	23.54
		BT152-600R		Тиристор 20A 600В	КИТАЙ
		BT152-600R		Тиристор 20A 600В	NXP
		BT152-600R		Тиристор 20A 600В	1
		FQP50N06L		60v logic n-channel mosfet	FAIR
		FQP50N06L		60v logic n-channel mosfet
		FQP50N06L		60v logic n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06L		60v logic n-channel mosfet	ONS
		FQP50N06L		60v logic n-channel mosfet	FAIRCHILD	532	120.96
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRONICS	40	49.14
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...			63.88
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMicroelectronics
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ТАИЛАНД
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST1
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRO
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMICROELECTR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	PEACOCK	4	12.72
		TC4420CPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP
		TC4420CPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	TELCOM
		TC4420CPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.			198.56
		TC4420CPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	Microchip Technology
		TC4420CPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	4-7 НЕДЕЛЬ	498

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"