Версия для печати
Технические характеристики MJE3055T

Current - Collector (Ic) (Max)	10A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)	700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 4A, 4V
Power - Max	75W
Frequency - Transition	2MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

UTCMJE3055T (Биполярные транзисторы) NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE Производитель: Unisonic Technologies //www.utc-ic.com MJE3055T datasheet 11.35Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6488		Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150			104.00
		2N6488		Транзистор NPN 80V 15A 75W B:20-150	ON SEMICONDUCTOR
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRONICS
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)		4	75.60
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	STMicroelectronics
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRO
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	STMICROELECTR
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	1
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	MOTOROLA
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	FAIR
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	ON SEMICONDUCTOR
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	ST MICROELECTRONICS
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	FAIRCHILD
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	FAIRCHILD
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	MOTOROLA
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	ON SEMICONDUCTOR	1
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	Fairchild Semiconductor
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	STMicroelectronics
		D44H11		Транзистор S-N 80В 10A 50МГц TO220	ST MICROELECTRO
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRONICS	26	53.88
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...			63.88
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMicroelectronics
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ТАИЛАНД
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST1
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRO
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMICROELECTR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	PEACOCK	4	13.15

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA162-16AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, ...	ATMEL
		ATMEGA162-16AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, ...		232	568.76
		ATMEGA162-16AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, ...	ATMEL CORPORATION
		ATMEGA162-16AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, ...	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		ATMEGA162-16AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, ...	ATMEL1
		ATMEGA162-16AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, ...	MICRO CHIP	1 048	814.29
		ATMEGA162-16AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, ...	NO NAME
		ATMEGA162-16AU		8- битный AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, ...	4-7 НЕДЕЛЬ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 760	16.00
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	436	14.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	32	4.37
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	6 614	16.33
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	RUME	118	3.84
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	TRR	4 800	3.96
		FQP50N06L		60v logic n-channel mosfet	FAIR
		FQP50N06L		60v logic n-channel mosfet
		FQP50N06L		60v logic n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06L		60v logic n-channel mosfet	ONS
		FQP50N06L		60v logic n-channel mosfet	FAIRCHILD	532	132.74
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...			63.88
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRO
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRONICS	26	53.88
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMicroelectronics
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ТАИЛАНД
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST1
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMICROELECTR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	PEACOCK	4	13.15
		TLP781[D4-GB.F]			TOS	816	8.67
		TLP781[D4-GB.F]

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"