|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
9 663
|
4.42
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAGOR
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
1 373
|
6.07
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
|
14 815
|
3.93
|
|
|
|
1N5402 |
|
Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)
|
MASTER INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
2SK170 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK170 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92)
|
|
|
56.00
|
|
|
|
2SK170 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
POWER INNOVATIONS
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BD242C |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10
|
|
|
35.68
|
|
|
|
DB154 |
|
Диодный мост DIP 1,5A 400V(RRM)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
DB154 |
|
Диодный мост DIP 1,5A 400V(RRM)
|
|
|
22.40
|
|
|
|
TZMC6V2 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=6.2V, Izt-5mA
|
|
|
5.60
|
|
|
|
TZMC6V2 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=6.2V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|