Версия для печати
Технические характеристики BD241C

Корпус	TO-220AB
Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	3MHz
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max)	300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

BD241 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Также в этом файле: BD241C Производитель: Bourns Electronic Solutions //www.bourns.ru BD241C datasheet 107.3Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	9 663	4.42
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	SMK
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	DIODES INC.
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	FAGOR
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	GENERAL INSTRUMENT
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	MOTOROLA
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	DIOTEC	1 373	6.07
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	КИТАЙ
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)		14 815	3.93
		1N5402		Выпрямительный диод (Vr=200V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C)	MASTER INSTRUMENT
		2SK170		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92)	TOSHIBA
		2SK170		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92)			56.00
		2SK170		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92)	TOS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	MOTOROLA
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	Fairchild Semiconductor
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ISCSEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10			35.68
		DB154		Диодный мост DIP 1,5A 400V(RRM)	DC COMPONENTS
		DB154		Диодный мост DIP 1,5A 400V(RRM)			22.40
		TZMC6V2		Стабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=6.2V, Izt-5mA			5.60
		TZMC6V2		Стабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=6.2V, Izt-5mA	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"