Версия для печати
Технические характеристики BSC120N03LSG

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	OptiMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	39A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 15V
Power - Max	28W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-PowerTDFN
Корпус	PG-TDSON-8 (5.15x6.15)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5400		Диод 3А, 50В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	DIODES
		1N5400		Диод 3А, 50В	FAIR
		1N5400		Диод 3А, 50В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5400		Диод 3А, 50В	MSIS
		1N5400		Диод 3А, 50В	ON SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	TAITRON COMPONENTS
		1N5400		Диод 3А, 50В	DC COMPONENTS	9 894	4.59
		1N5400		Диод 3А, 50В	SMK
		1N5400		Диод 3А, 50В	FAIRCHILD	340	6.30
		1N5400		Диод 3А, 50В	FAIRCHILD
		1N5400		Диод 3А, 50В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5400		Диод 3А, 50В	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N5400		Диод 3А, 50В	MSIS SEMICONDUCTOR
		1N5400		Диод 3А, 50В	TAITRON COMPONENTS
		1N5400		Диод 3А, 50В	Fairchild Semiconductor
		1N5400		Диод 3А, 50В	MICROSEMI CORP
		1N5400		Диод 3А, 50В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5400		Диод 3А, 50В	MOTOROLA	121
		1N5400		Диод 3А, 50В	КИТАЙ
		1N5400		Диод 3А, 50В	KINGTRONICS
		1N5400		Диод 3А, 50В	DIOTEC	1 216	31.51
		1N5400		Диод 3А, 50В		126	15.12
		1N5400		Диод 3А, 50В	MIC
		1N5400		Диод 3А, 50В	SEMTECH
		1N5400		Диод 3А, 50В	SUNTAN	1 996	6.35
		1N5400		Диод 3А, 50В	KLS
		1N5400		Диод 3А, 50В	1
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	FAIR
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)		32	165.08
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	Fairchild Semiconductor
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	VISHAY
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	PANJIT	36
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	FSC
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	ONS
		IRLR024N		Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	58.59
		IRLR024N		Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)		240	44.40
		IRLR024N		Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)	INTERNATIONAL RECTIFIER	2
		IRLR024N		Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)	МЕКСИКА
		IRLR024N		Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)	INFINEON
		STPR1610CT			SGS
		STPR1610CT			SGS THOMSON
		TLP751			TOSHIBA

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"