IRLR024N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRLR024N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	400	58.59
IRLR024N	240	44.40
IRLR024N (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	2	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRLR024N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	480pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR024NPBF

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLR024N datasheet
304.83Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-160 1%	ЧИП — резистор		368	1.08 >500 шт. 0.36
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	340 495	1.29
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	TOP DIODE	81 600	1.05
IR2156S	Балласт электронный и полумостовой драйвер.	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2156S	Балласт электронный и полумостовой драйвер.			276.68
IR2156S	Балласт электронный и полумостовой драйвер.	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2156S	Балласт электронный и полумостовой драйвер.	INFINEON
IR2156S	Балласт электронный и полумостовой драйвер.	4-7 НЕДЕЛЬ	460
KNP-200, 2 W, 5%, 0.1 OHM		КИТАЙ
ТОТ- 34			1	252.00