Версия для печати
Технические характеристики IRLR024N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	480pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRLR024NPBF Hexfet Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRLR024N datasheet 304.83Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-9.1K 5%		ЧИП — резистор		451	1.60  >100 шт.   0.80
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	FAIR
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)		32	165.08
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	Fairchild Semiconductor
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	VISHAY
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	PANJIT	36
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	FSC
		2KBP06M		Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)	ONS
		LM6142AIM			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM6142AIM			NSC
		LM6142AIM					447.92
		LM6142AIM			ФИНЛЯНДИЯ
		LM6142AIM			NATIONAL SEMICONDUCTOR	109
		LM6142AIM			TEXAS INSTRUMENTS
		LM6142AIM			TEXAS
		LM6142AIM			4-7 НЕДЕЛЬ	106
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	CHINA
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	MULTICOMP
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	DC COMPONENTS	1 656	7.90
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	Fairchild Semiconductor
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	Littelfuse Inc
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	MIC
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	КИТАЙ	266	16.40
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	LITTELFUSE
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	KINGTRONICS
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	TSC
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	VISHAY	2 732	12.72
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	WAYON
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	MIG	640	12.72
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	SUNMATE
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	HOTTECH	36	5.49
		P6KE300CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт, 300в	XSEMI
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный		749	15.12
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	КРЕМНИЙ	532	14.84
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	АЛЕКСАНДРОВ	421	4.24
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	БРЯНСК
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	НАЛЬЧИК
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	МИНСК	400	10.60
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	RUS
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ИНТЕГРАЛ	404	14.05
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ТРАНЗИСТОР
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ДАЛЕКС	88	12.40
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	672
		КТ502Г		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	94

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"