|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 10A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
Power - Max | 45W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRLR024NPBF Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-150K 1% | ЧИП — резистор 150кОм, 1%, 0805 | 1 213 | 1.24 | |||||
BUP314 | Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | INFINEON | ||||||
BUP314 | Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | SIEMENS | ||||||
BUP314 | Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | 641.12 | ||||||
BUP314 | Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | INFINEON TECH | ||||||
IRS4426 | INTERNATIONAL RECTIFIER | |||||||
TLP751 | TOSHIBA | |||||||
КР1158ЕН6В | Стабилизатор напряжения с фиксированным положительным выходным напряжением 6 В | 86.40 | ||||||
КР1158ЕН6В | Стабилизатор напряжения с фиксированным положительным выходным напряжением 6 В | СИТ | ||||||
КР1158ЕН6В | Стабилизатор напряжения с фиксированным положительным выходным напряжением 6 В | НТЦ СИТ | 4 | 117.30 | ||||
КР1158ЕН6В | Стабилизатор напряжения с фиксированным положительным выходным напряжением 6 В | БРЯНСК | 144 | 164.00 | ||||
КР1158ЕН6В | Стабилизатор напряжения с фиксированным положительным выходным напряжением 6 В | КРЕМНИЙ (БРЯНСК) | 703 | 176.00 |
|