|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRLR024NPBF Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
0805-150K 1% |
|
ЧИП — резистор 150кОм, 1%, 0805 | 1 213 | 1.24 | |||
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W |
|
641.12 | ||
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W | INFINEON TECH |
|
|
|
|
|
CC0805ZRY5V8BB474 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.47 мкФ Y5V (+80-20%) 0805, 25В | YAGEO | 15 215 |
1.36 >100 шт. 0.68 |
||
|
|
CC0805ZRY5V8BB474 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.47 мкФ Y5V (+80-20%) 0805, 25В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
CC0805ZRY5V8BB474 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.47 мкФ Y5V (+80-20%) 0805, 25В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
CC0805ZRY5V8BB474 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.47 мкФ Y5V (+80-20%) 0805, 25В |
|
|
|||
| IRS4426 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
|
|
TLP751 | TOSHIBA |
|
|