| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AP9916H |
|
|
ADVANCED POWER ELECT. CORP
|
|
|
|
|
|
|
AP9916H |
|
|
ADVANCED POWER ELECT. CORP
|
|
|
|
|
|
|
AP9916H |
|
|
|
|
|
|
|
|
KA7500B |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем, 0.5A, max 200kHz
|
SEC
|
|
|
|
|
|
KA7500B |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем, 0.5A, max 200kHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KA7500B |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем, 0.5A, max 200kHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
KA7500B |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем, 0.5A, max 200kHz
|
|
|
|
|
|
|
KA7500B |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем, 0.5A, max 200kHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KA7500B |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем, 0.5A, max 200kHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
|
112
|
24.05
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
200
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
211
|
|
|
|
|
|
К500ЛП216 |
|
|
|
|
46.08
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
609
|
15.46
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
16.40
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
180
|
16.96
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
1 620
|
15.90
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
12.31
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|