IRLR024N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRLR024N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	400	63.24
IRLR024N	248	44.40
IRLR024N (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	2	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRLR024N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	480pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR024NPBF

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLR024N datasheet
304.83Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRG4BC30S-S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4BC30S-S
LM810M3-2.63	Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM810M3-2.63	Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))	NSC
LM810M3-2.63	Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))			39.48
LM810M3-2.63	Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))	КИТАЙ
LM810M3-2.63	Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))	4-7 НЕДЕЛЬ	170
N81A90X (B88069X4880)			10	25.39
К50-35-25В-1000МКФ			1 152
ТОТ-32		ИЗУМРУД
ТОТ-32