BZX84-C3V6,215
|
DIODE ZENER 3.6V 250MW SOT23 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 1V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Tolerance | ±5% |
| Power - Max | 250mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 90 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HSMS-2825-BLKG | AVAGO |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | Avago Technologies US Inc |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | 4 |
|
||||||
| HSMS-2825-BLKG | BRO/AVAG |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | BROADCOM/AVAGO |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | BROADCOM |
|
|
|||||
| LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM293DR2G | ONS |
|
|
|||||
| LM293DR2G |
|
13.20 | ||||||
| LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM293DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 624 |
|
|||||
| LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS | 37 | 21.13 | |||||
| LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM317LCDR | TEXAS |
|
|
|||||
| LM317LCDR |
|
|
||||||
| LM317LCDR |
|
|
||||||
| LM317LCDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 93 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | NXP |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON Semiconductor | 4 | 3.80 | |||||
| MMBZ15VALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 892 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | 165 | 10.08 | ||||||
| MMBZ15VALT1G | ONS |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | YOUTAI | 5 474 | 1.69 | |||||
| SMBJ28A-E3/52 | VISHAY |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | GENERAL SEMICONDUCTOR | 113 |
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 |
|
|
